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什么是瓷介電容器?

2019-10-21 10:35:49 發布者:電容器
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          在電子元器件中的瓷介電容器,瓷介電容器又稱陶瓷電容器,它以陶瓷為介質,涂敷金屬薄膜(一般為銀)經高溫燒結而形成電極,再在電極上焊上引出線,外表涂以保護磁漆,或用環氧樹脂及酣自主樹脂包封,即成為瓷介電容器。讓我們來看看什么是瓷介電容器?


        具有小的正電容溫度系數的電容器,用于高穩定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或對穩定性和損耗要求不高的場合,這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因為它們易于被脈沖電壓擊穿。


        瓷介電容同時又有很多種類:


        瓷介電容器:


        瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率,在低壓低功率中又可分為I型(CC型)和II型(CT型)。


        I型(CC型)特點是體積小, 損耗低,電容對頻率,溫度穩定性都較高,常用于高頻電路。


          II型(CT型)特點是體積小,損耗大,電容對溫度頻率,穩定性都較差,常用于低頻電路。


         CC1型圓片高頻瓷介電容


        適用于諧振回路及其他電路做溫度補償,耦合,隔直使用。損耗:《0.025絕緣電阻:10000mohm 試驗電壓:200v


        允許偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)溫度系數:-150--- -1000PPM/C環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達96%


        CT1型圓形瓷片低頻電容:


        環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達96%工作電壓50V電容范圍和允差:101—472 (+-10%) 472-403(+80-- -20%)


        CC01圓形瓷片電容:


        環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg允許偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)


        溫度系數:1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM


        56—180P –750(+-250)PPM


        180—390P –1300(+-250)PPM


         430—820P –3300(+-500)PPM


           CT01圓形瓷片電容:


         環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg損耗《0.05絕緣電阻:1000mohm


         允差:+80 -20%容量:1000-47000p


         工作電壓:63v 試驗電壓:200v CC10 超高頻瓷介電容


         可用于《500MHZ下,環境溫度:-55—85C 相對濕度:+40C時達98% 壓力33mmhg 震動強度:加速度10g 沖擊:加速度25g 離心:加速度15g


         允差:k容量:1-47p工作電壓:500v


         CC11,CT11園片無引線瓷片電容


         該電容特為高頻頭設計,頻率特性好。


         CC11直流電壓:250V標稱容量:3—39P損耗:《0.0015 絕緣》10000mohm


         CT11直流電壓:160V標稱容量:240—1500 絕緣》2500mohm


         CT82,CC82高壓高功率瓷片電容:


         環境溫度:-25—85C 相對濕度:+40C時達98%大氣 壓力40000PA 震動:加速度15g 沖擊:加速度15g額定電壓:1—4kv 試驗電壓:2.5—8kv允差:K,M


         獨石瓷介電容器:


         CC4D獨石瓷介電容器


        環境溫度:-55—85C 相對濕度:+40C時達98% 大氣壓力666.6PA損耗《15*10(-4)容量:100-100000p工作電壓:40v 試驗電壓:120v


        CT4D獨石瓷介電容器


        環境溫度:-55—85C 相對濕度:+40C時達98% 大氣壓力1000PA損耗《0.035容量:0.033-2.2uf工作電壓:40v-100v 試驗電壓:3UW允差:+80-20%


         CC2,CT2管形瓷介電容器


         與片形瓷介電容相比,機械強度高,用作旁路時內電極屏蔽性能好,用在高頻電阻雜散耦合好,缺點是固有諧振頻率低,制造工藝復雜,產量低。


         CT2 損耗《0.04絕緣電阻<1000mohm 試驗電壓:480v

 

         使用條件:-55—85c相對濕度:40C時達98% CC3,CCTD型疊片瓷介電容器CCTF型方形疊片瓷片電容器


         CC3損耗《0.0015 容量:33-1000P 允差:K,M 工作電壓:100V


          CCTD損耗《0.035 容量:470-33000P 允差:+80-20% 工作電壓:250V


          CCTF損耗《0.04 容量:10000-47000P 允差:+80-20% 工作電壓:160V


          CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介電容


          該類電容使用于VHF,UHF調諧器和其他無線電設備中做高低頻旁路濾波用。


           CC52E-1C 容量:2-33P工作電壓:63V 絕緣電阻:10000mohm損耗:《0.0015


           CC53-2C 容量:1000-1500P工作電壓:160V 絕緣電阻:1000mohm損耗《0.035


           CT87鼓形高壓低頻瓷介電容器,該電容主要使用于電子設備的脈沖電路。CC87-1 容量:470P工作電壓:10KV 絕緣電阻:10000mohm


            CCG81型板形高功率瓷介電容:使用于大功率高頻電子設備中。容量:1000P 工作電壓20KV(高頻15KV) 額定無功功率:100KVA最大電流:25A 最大重量:1.3KG

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