在電子元器件中的瓷介電容器，瓷介電容器又稱陶瓷電容器，它以陶瓷為介質，涂敷金屬薄膜(一般為銀)經高溫燒結而形成電極，再在電極上焊上引出線，外表涂以保護磁漆，或用環氧樹脂及酣自主樹脂包封,即成為瓷介電容器。讓我們來看看什么是瓷介電容器?

　    　  具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場合，這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。

　      　瓷介電容同時又有很多種類：

　      　瓷介電容器：

　      　瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率，在低壓低功率中又可分為I型(CC型)和II型(CT型)。

　      　I型(CC型)特點是體積小， 損耗低，電容對頻率，溫度穩定性都較高，常用于高頻電路。

　         II型(CT型)特點是體積小，損耗大，電容對溫度頻率，穩定性都較差，常用于低頻電路。

　　       CC1型圓片高頻瓷介電容

　      　適用于諧振回路及其他電路做溫度補償，耦合，隔直使用。損耗：《0.025絕緣電阻：10000mohm 試驗電壓：200v

　      　允許偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)溫度系數：-150--- -1000PPM/C環境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96%

　　      CT1型圓形瓷片低頻電容：

　　      環境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96%工作電壓50V電容范圍和允差：101—472 (+-10%) 472-403(+80-- -20%)

　　      CC01圓形瓷片電容：

　     　 環境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg允許偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)

　　      溫度系數：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM

　　      56—180P –750(+-250)PPM

　　      180—390P –1300(+-250)PPM

　     　  430—820P –3300(+-500)PPM

      　    CT01圓形瓷片電容：

　      　 環境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg損耗《0.05絕緣電阻：1000mohm

　       　允差：+80 -20%容量：1000-47000p

　      　 工作電壓：63v 試驗電壓：200v CC10 超高頻瓷介電容

　       　可用于《500MHZ下，環境溫度：-55—85C 相對濕度：+40C時達98% 壓力33mmhg 震動強度：加速度10g 沖擊：加速度25g 離心：加速度15g

　     　  允差：k容量：1-47p工作電壓：500v

　       　CC11,CT11園片無引線瓷片電容

　　       該電容特為高頻頭設計，頻率特性好。

　     　  CC11直流電壓：250V標稱容量：3—39P損耗：《0.0015 絕緣》10000mohm

　　       CT11直流電壓：160V標稱容量：240—1500 絕緣》2500mohm

　　       CT82,CC82高壓高功率瓷片電容：

　       　環境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達98%大氣 壓力40000PA 震動：加速度15g 沖擊：加速度15g額定電壓：1—4kv 試驗電壓：2.5—8kv允差：K,M

　       　獨石瓷介電容器：

　       　CC4D獨石瓷介電容器

　　      環境溫度：-55—85C 相對濕度：+40C時達98% 大氣壓力666.6PA損耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作電壓：40v 試驗電壓：120v

　　      CT4D獨石瓷介電容器

　　      環境溫度：-55—85C 相對濕度：+40C時達98% 大氣壓力1000PA損耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作電壓：40v-100v 試驗電壓：3UW允差：+80-20%

　       　CC2,CT2管形瓷介電容器

　      　 與片形瓷介電容相比，機械強度高，用作旁路時內電極屏蔽性能好，用在高頻電阻雜散耦合好，缺點是固有諧振頻率低，制造工藝復雜，產量低。

　　       CT2 損耗《0.04絕緣電阻<1000mohm 試驗電壓：480v

　　       使用條件：-55—85c相對濕度：40C時達98% CC3,CCTD型疊片瓷介電容器CCTF型方形疊片瓷片電容器

　　       CC3損耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作電壓：100V

　　        CCTD損耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作電壓：250V

　        　CCTF損耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作電壓：160V

　        　CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介電容

　        　該類電容使用于VHF,UHF調諧器和其他無線電設備中做高低頻旁路濾波用。

　         　CC52E-1C 容量：2-33P工作電壓：63V 絕緣電阻：10000mohm損耗：《0.0015

　         　CC53-2C 容量：1000-1500P工作電壓：160V 絕緣電阻：1000mohm損耗《0.035

　         　CT87鼓形高壓低頻瓷介電容器,該電容主要使用于電子設備的脈沖電路。CC87-1 容量：470P工作電壓：10KV 絕緣電阻：10000mohm

　　          CCG81型板形高功率瓷介電容：使用于大功率高頻電子設備中。容量：1000P 工作電壓20KV(高頻15KV) 額定無功功率：100KVA最大電流：25A 最大重量：1.3KG